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- ブラジル政府とのエイズ治療薬の価格交渉、合意近い＝ロシュ
- UCSB教授の中村氏が日亜化学工業を提訴
※中村氏が確認を求めている特許権
- 【特許番号】第２６２８４０４号
【登録日】平成９年（１９９７）４月１８日
【発明の名称】半導体結晶膜の成長方法
【請求項の数】１
【出願日】平成２年（１９９０）１０月２５日
【特許権者】
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
【発明者】
【氏名】中村 修二
【特許請求の範囲】
【請求項１】加熱された基板の表面に、基板に対して平行ないし傾斜する方向と、基板に対して実質的に垂直な方向からガスを供給して、加熱された基板の表面に半導体結晶膜を成長させる方法において、基板の表面に平行ないし傾斜する方向には反応ガスを供給し、基板の表面に対して実質的に垂直な方向には、反応ガスを含まない不活性ガスの押圧ガスを供給し、不活性ガスである押圧ガスが、基板の表面に平行ないし傾斜する方向に供給される反応ガスを基板表面に吹き付ける方向に方向を変更させて、半導体結晶膜を成長させることを特徴とする半導体結晶膜の成長方法。
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- 青色ＬＥＤ特許訴訟「日本の特許のあり方を問いたい」 米カリフォルニア大教授・中村修二氏
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